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外媒称Samsung3nm工艺良品率仍远不及预期 仅10%-20%

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【TechWeb】4月18日消息,据国外媒体报导,在2月份有报导称台积电{dian}的3nm工艺遇到良品率难题,可能影响到AMD、英伟达等部分客户的产品路{lu}线图之后,又出现了Samsung电子3nm工艺的良品率远不及预期的消【xiao】息。

韩国媒体的报导显示,Samsung电子3nm制程工艺的良品率,才到《dao》10%-20%,远不及公司期望的目标,在提升3nm工艺的良品率方面,也陷入了挣扎。

Samsung电子和台积电是目前已顺利量产5nm工艺《yi》,并在推进3nm工艺量产事宜的晶圆代‘dai’工商,与台积电继续采用鳍式场效应【ying】晶体管(FinFET)架构不同,Samsung电子3nm工艺采用的是全环绕栅极晶体管(GAA)技术。

在全球晶圆代工市场份额连续多年(nian)远不‘bu’及台积电的Samsung电 dian[子,对他们的3nm制程工艺寄予厚望。在《zai》去年6月份就曾有报导称,Samsung电子的3nm工艺已成功流片,距离量产又更近了一步,计划在今年6月份开始「shi」量产。

不过,Samsung电子(zi)3nm工艺的「de」良品率远不及预期,还只是外媒的报导,并不是Samsung方面公布的消息。但如果Samsung电子3nm工艺的良【liang】品率,真如外媒报导的那样远低于目标,可能也会影响到最终的交付量,进而影响相关厂商的产品路线图。

值得注意的是,在今〖jin〗年2月份《fen》曾有报导称,Samsung重要客户高通明年将推出的3nm工艺应用处理器,将交由台积电〖dian〗代工,同时由于4nm工艺的 de[良品率低,高通也已将部分Snapdragon8 Gen 1交由台积电代工,不再由Samsung电子独家代工。


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